Adsorption structure of formic acid on Si(100) studied by surface NEXAFS

関口 広美*; 関口 哲弘

Surface Science, 433-435, p.549 - 553, 1999/00

https://doi.org/10.1016/S0039-6028(99)00039-4

SiC材料に関連した系であるSi(100)21基板上の単分子吸着ギ酸(HCOO)の構造(結合角)を炭素KVV-オージェ電子収量法によるX線吸収端微細構造(NEXAFS)測定により調べた。NEXAFSスペクトルの各ピーク強度は顕著な偏光角依存性を示した。観測された4本の共鳴ピークは吸着フォルメート(HCOO)の分子面外遷移()と3本の分子面内遷移()と帰属された。双極子遷移の選択則からCHO分子面は表面垂直(100方向)に対し212°傾いていると結論された。電子線回折実験によると気相HCOOSiH分子のO=C-O-Siの二面体角は21°であり、吸着種のCHO面の傾き角とよく一致している。ギ酸メチル(HCOOCH)では相当するねじれ構造はなく、この違いはSi-O結合にイオン性寄与があることに起因すると示唆された。